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  • 杭電衢州校友會召開第二屆會員大會
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  • 我校邵根富榮獲“浙江省擔當作為好干部”稱號
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  • 點贊杭電人|邵根富:勇做人才強教破題者
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  • 省人大常委會預算工作委員會副主任王柏能、莫紅民一行來校調研
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首個由我校主持的千萬級國家重點研發計劃項目獲得立項
作者:admin 來源:科學技術研究院、微電子研究中心 時間:2019-06-27 點擊量:4870

  近日,國家重點研發計劃“光電子與微電子器件及集成”重點專項2018年度項目立項名單公示結束,我校微電子研究中心主任駱建軍教授主持的“新型嵌入式阻變存儲器(RRAM)研究”項目獲得立項,這是我校作為主持單位獲得的首個千萬級國家重點研發項目。項目預算近4000萬元,獲得1700余萬中央財政經費支持。

  國家重點研發計劃由原國家重點基礎研究發展計劃(973計劃)、國家高技術研究發展計劃(863計劃)、國家科技支撐計劃、國際科技合作與交流專項、產業技術研究與開發基金和公益性行業科研專項等整合而成,是針對事關國計民生的重大社會公益性研究,以及事關產業核心競爭力、整體自主創新能力和國家安全的戰略性、基礎性、前瞻性重大科學問題、重大共性關鍵技術和產品,為國民經濟和社會發展主要領域提供持續性的支撐和引領。

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圖為微電子研究中心開發成功的我國第一顆固態硬盤控制器芯片的顯微照片

  “新型嵌入式阻變存儲器(RRAM)研究”由我校微電子研究中心駱建軍教授團隊牽頭組織,中科院微電子所積極支持,聯合我校產學研合作基地杭州華瀾微電子有限公司、中電58所、西安電子科技大學、復旦大學、無錫中微高科電子有限公司、無錫中微騰芯電子有限公司共同參與,擬在新型半導體存儲器件——阻變存儲器(RRAM)方面取得突破性進展,并打通從實驗室到產業化的關鍵環節,實現產業化應用。

  當前,嵌入式處理器(CPU)普遍使用NOR FLASH(或型閃存)作為存放程序代碼和數據的倉庫,但在工藝進步到40nm(納米)、28nm甚至14nm以下的情況下,FLASH無法兼顧和CPU邏輯電路工藝兼容而且可靠地進一步縮小尺寸,全世界都在研究新型存儲器件,阻變存儲器(RRAM)就是其中一種。

  RRAM利用特種材料的電阻記憶特性來實現數據保存,國外已開始工業化批量生產的嘗試,而國內尚處于實驗室階段。中科院劉明院士團隊在RRAM器件結構方面創新成果突出,我校微電子研究中心則在片上系統芯片(SOC)、算法等方面經驗豐富,該項目就是要依托各單位特色優勢,研發出可靠、可重復利用的知識產權(IP)核,并通過摸索半導體工藝、應用各種算法、封裝測試技術來提高穩定性、可靠性,從而把我國新型儲存器RRAM技術推進到國際前沿水平。

  微電子研究中心團隊是我校第一個浙江省領軍型創新團隊,設計了我國第一顆固態硬盤(SSD)集成電路控制器芯片并成功產業化,獲得浙江省科技進步一等獎。中心開創者、我國著名半導體專家鄧先燦教授表示:“集成電路芯片是電子信息系統的心臟,存儲器芯片好比數據的倉庫,存儲控制器芯片是倉庫的看門人,我們正在努力打造‘中國芯’,實現‘把中國人的信息存放在中國人自己的硬盤中’的夢想。”(科學技術研究院  微電子研究中心)

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